不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201536
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035499
出願日： 1995年07月15日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】書き込み/消去時の最適電位をチップ内で自動的に設定する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】再書き込みのループ回数及びページ数をカウントするカウント手段8と、このカウント手段がカウントしたループ回数及び再書き込み手段の出力に基づいてVpp電位設定データを書き換えるVpp電位設定データ書き込み制御手段9と、この制御手段9の出力とイニシャルVpp電位設定データに基づいてVpp電位をトリミングするトリミング制御手段6とを備え、トリミング制御手段に基づいてVpp電位を設定する。書き込み/消去電位の変更が必要になった場合、セルの書き込み/消去時間、書き込み/消去のループ回数、Vpp電位分布幅を検出せずにチップ内で自動的に設定電位の変更を行える。

請求項（抜粋）：

メモリセルにデータを書き込む書き込み手段と、前記書き込み手段によって書き込み処理が行われたデータについて検証を行い書き込み処理がなされなかった前記データを再書き込みするように前記書き込み手段に指示し、この再書き込みを1ループとして少なくとも1ループは再書き込みする再書き込み手段と、前記再書き込み手段が行う再書き込みのループ回数及びページ数をカウントするカウント手段と、前記カウント手段がカウントしたループ回数及び前記再書き込み手段の出力に基づいて書き込み電位設定データを書き換える書き込み電位設定データ書き込み制御手段と、前記書き込み電位設定データ書き込み制御手段の出力とイニシャル書き込み電位設定データに基づいて書き込み電位をトリミングするトリミング制御手段とを備え、前記トリミング制御手段に基づいて前記書き込み電位を設定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-040935 出願人：株式会社東芝

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