特許
J-GLOBAL ID：200903059841665252

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者：
長谷川 公一

長谷川 公一 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425234
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179587
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 低誘電率であり、表面平坦性に優れる膜を形成することができる層間絶縁膜材料に適した膜形成用組成物を提供することにある。【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、 (A)下記一般式(1)で表される化合物を含むシラン化合物を、加水分解し、縮合した加水分解縮合物と、 (R1OCH2)aSi(OR2 )4-a ・・・・・(1)〔式中、R1、R2は1価の有機基、aは1または2を示す。〕 (B)有機溶剤と、を含む。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物を含むシラン化合物を、加水分解し、縮合した加水分解縮合物と、 (R1OCH2)aSi(OR2)4-a ・・・・・(1) 〔式中、R1、R2は1価の有機基、aは1または2を示す。〕 (B)有機溶剤と、を含む、膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/04 ,  C09D5/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08
FI (4件)：
C09D183/04 ,  C09D5/00 Z ,  C09D183/02 ,  C09D183/08
Fターム (11件)：
4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038DL072 ,  4J038DL121 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09
引用特許：
出願人引用 (3件)

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