特許
J-GLOBAL ID:200903059845380481
半導体素子用冷却器及びこれを用いた電力変換装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-203471
公開番号(公開出願番号):特開2001-035981
出願日: 1999年07月16日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、冷媒が低流量でも冷却能力が高く、且つ圧力損失が少なく、電力用半導体素子の大容量化、高速化に適切に対応させることを目的とする。【解決手段】 多数の微細な流路からなる並列流路4と、この並列流路4における各流路へ冷媒1を分配する第1のヘッダー3と、並列流路4から流出した冷媒1が合流する第2のヘッダー5とを有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
平型半導体素子の電極面に加圧接触されるか又はモジュール型半導体素子の放熱板にネジ取付けされ、内部を流れる冷媒により前記平型半導体素子又は前記モジュール型半導体素子の熱損失を放熱する液冷却式の半導体素子用冷却器において、多数の微細な流路からなる並列流路と、この並列流路における前記各流路へ前記冷媒を分配する第1のヘッダーと、前記並列流路から流出した前記冷媒が合流する第2のヘッダーとを有することを特徴とする半導体素子用冷却器。
Fターム (8件):
5F036AA01
, 5F036BA05
, 5F036BA24
, 5F036BB44
, 5F036BC03
, 5F036BC08
, 5F036BD01
, 5F036BE06
引用特許:
審査官引用 (9件)
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半導体素子冷却装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-229623
出願人:昭和アルミニウム株式会社
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特開昭55-153359
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冷却装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-209486
出願人:日本電装株式会社
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プレート型ヒートシンク
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-258750
出願人:三菱電機株式会社
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特開平2-306097
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ヒートシンクの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-239681
出願人:三菱電機株式会社
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プレート積層型熱交換器及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-258751
出願人:三菱電機株式会社
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平形半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-195461
出願人:富士電機株式会社
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電力変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-145393
出願人:株式会社日立製作所
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