特許
J-GLOBAL ID：200903059862129997

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
田尻 敦志

田尻 敦志 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025940
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232078
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 ピットの検出の際の分解能が高くピット情報の解像度が良好でありS/Nの向上を図ることが可能な複数の発光点を有する半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、n-GaN基板1の一方の面上に第1の半導体レーザ素子10が形成され、n-GaN基板1の他方の面に第2の半導体レーザ素子20が形成されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20は、n-クラッド層11,21、MQW活性層12,22、p-クラッド層13,23、電流ブロック層14,24およびp-コンタクト層15,25が順に積層されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20のMQW活性層12,22に形成される発光点17,27は、MQW活性層12,22に平行な方向に長軸を有しかつ垂直な方向に短軸を有する楕円形状を有する。
請求項（抜粋）：
基板の一方の面上に、第1の活性層を有する第1の半導体レーザ素子が形成され、前記基板の他方の面上に、前記第1の半導体レーザ素子の前記第1の活性層にほぼ平行な第2の活性層を有する第2の半導体レーザ素子が形成され、前記第1の半導体レーザ素子の前記第1の活性層の端面に、前記第1の活性層に平行な方向に長軸を有しかつ前記第1の活性層に垂直な方向に短軸を有するほぼ楕円形状の第1の発光点が形成され、前記第2の半導体レーザ素子の前記第2の活性層の端面に、前記第2の活性層に平行な方向に長軸を有しかつ前記第2の活性層に垂直な方向に短軸を有するほぼ楕円形状の第2の発光点が形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610 ,  G11B 7/125
FI (2件)：
H01S 5/22 610 ,  G11B 7/125 A
Fターム (17件)：
5D119AA10 ,  5D119AA24 ,  5D119BA01 ,  5D119EC40 ,  5D119EC47 ,  5D119FA05 ,  5D119FA08 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA74 ,  5F073AB04 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05
引用特許：
審査官引用 (8件)
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