特許

J-GLOBAL ID：200903059883329830

低温焼成磁器および配線基板

発明者： 古久保 洋二 ,  國分 正也 ,  福田 憲次郎 ,  中尾 吉宏 ,  東 昌彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332656
公開番号（公開出願番号）：特開2002-137961
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
要約：

【要約】【課題】低温で焼成でき、高熱膨張係数、高強度、かつ熱サイクル後の強度低下が小さく、特に配線基板等の絶縁基板として好適に使用できる低温焼成磁器および該磁器を絶縁基板として用いて成る配線基板を提供する。【解決手段】少なくとも珪酸バリウム結晶(BS)30〜70重量%とクォーツ結晶(S)を30〜70重量%との割合で含有する低温焼成磁器を配線基板Aの絶縁基板1として用いる。

請求項（抜粋）：

少なくとも珪酸バリウム結晶20〜80重量%とクォーツ結晶を20〜80重量%との割合で含有することを特徴とする低温焼成磁器。

IPC (4件)：

C04B 35/16 ,  C04B 35/14 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610

FI (4件)：

C04B 35/14 ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/16 Z ,  H01L 23/14 C

Fターム (10件)：

4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030BA20 ,  4G030BA21 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特公平4-011495
  
• 特公平6-076253
  
• 高熱膨張ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-024424   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (3件)

• 特公平4-011495
  
• 特公平6-076253
  
• 高熱膨張ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-024424   出願人：京セラ株式会社