特許

J-GLOBAL ID：200903059885547915

半導体発光素子

発明者： 山田 孝夫
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055422
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244129
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】電極として透明な導電性酸化物膜を用い、十分な透明性を維持しながら半導体層との密着性に優れた電極とすることで、発光効率及び信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、第1の元素Aを含む半導体層が表面に位置する半導体積層構造を備える。この半導体発光素子は、半導体層の表面に、少なくとも亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と、第2の元素Bを含む酸化物膜とを有する。導電性酸化物膜は、第2の元素Bを含む酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも低くしている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の元素Aを含む半導体層が表面に位置する半導体積層構造を備える半導体発光素子であって、 前記半導体層の表面に、少なくとも亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素Cを含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と、第2の元素Bを含む酸化物膜とを有し、 前記導電性酸化物膜は、第2の元素Bを含む酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、前記導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも低くしてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L21/28 301R

Fターム (28件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA07 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウムを基礎とする13族-15族化合物半導体素子および素子用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-133624   出願人：財団法人工業技術研究院