窒化ガリウムを基礎とする13族-15族化合物半導体素子および素子用電極

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-133624
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196633
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】透過率の高いP型電極を備えた窒化ガリウムを基礎とする13族-15族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】基板が第一主表面および第二主表面を有し、前記基板の前記第一主表面上に形成された、N型半導体層とP型半導体層よりなる半導体スタック構造と、前記N型半導体層と電気的に接触した第一電極と、前記P型半導体層とオーミックコンタクトした半導体酸化物層および前記半導体酸化物層上に形成された透過導電層よりなる前記P型半導体層と接触した第二電極、よりなることを特徴とする窒化ガリウムを基礎とする13族-15族化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

第一主表面および第二主表面を有する基板と、前記基板の前記第一主表面上に配置され、N型半導体層およびP型半導体層を有するスタック構造の半導体と、前記N型半導体層と電気的に接触して設けられた第一電極と、半導体酸化物層と透過導電層とを有し、前記P型半導体層と接触して設けられた第二電極とからなり、前記半導体酸化物層は前記P型半導体とオーミックコンタクトを形成し、前記透過導電層は前記半導体酸化物層上に形成されていることを特徴とする窒化ガリウムを基礎とする13族-15族化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/042 610 , H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 5/042 610 , H01S 5/323

Fターム (30件)：

5F041AA03 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA03 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA99 , 5F041DA07 , 5F041DA16 , 5F041DA43 , 5F073AA51 , 5F073AA61 , 5F073AA89 , 5F073CA17 , 5F073CB22 , 5F073DA21 , 5F073DA30 , 5F073EA15 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-326334 出願人：ローム株式会社
発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-118315 出願人：昭和電工株式会社

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