特許
J-GLOBAL ID:200903059918394214
アクティブマトリックス基板及びそれを用いた光学変調素子
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-084678
公開番号(公開出願番号):特開2001-264798
出願日: 2000年03月22日
公開日(公表日): 2001年09月26日
要約:
【要約】【課題】TFTアクティブマトリックス基板において、配線と画素電極間に層間絶縁層を設けることにより画素電極-配線間のカップリング容量を低減でき、開口率や画質を向上できる。しかし、この効果を得るためには、比較的厚い層間絶縁層が必要となり、周辺回路チップを端子部に接続する際、その信頼性が低下する。このため、この信頼性の向上が課題となる。【解決手段】前期層間絶縁層の端子部周辺の膜厚を薄くする。これにより、周辺回路接続の障害を低減できる。【効果】TFTアクティブマトリックス基板において、配線と画素電極間に層間絶縁層を設けることにより画素電極-配線間のカップリング容量を低減でき、開口率や画質を向上でき、周辺回路接続の信頼性を向上した液晶表示装置を提供できる。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に複数の走査線と信号線、スイッチング素子、画素電極を具備し、画素電極より基板側に層間絶縁層を具備したアクティブマトリックス基板において、層間絶縁層が走査線あるいは信号線の少なくとも一方の端子部周辺で薄くなっていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (3件):
G02F 1/1345
, G02F 1/1333 505
, H01L 29/786
FI (3件):
G02F 1/1345
, G02F 1/1333 505
, H01L 29/78 619 A
Fターム (96件):
2H090HA03
, 2H090HB07X
, 2H090HD03
, 2H090LA04
, 2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA33
, 2H092JA34
, 2H092JA35
, 2H092JA38
, 2H092JA39
, 2H092JA42
, 2H092JA43
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB27
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB36
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB57
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA05
, 2H092KA12
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092NA13
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA30
, 2H092PA03
, 2H092PA06
, 2H092RA05
, 5F110BB01
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110CC07
, 5F110DD13
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ12
, 5F110HJ23
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK14
, 5F110HK15
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110HL04
, 5F110HL07
, 5F110HL23
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN40
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
, 5F110QQ25
引用特許:
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