特許

J-GLOBAL ID：200903059942317700

半導体レーザの製造方法

発明者： 石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207689
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066486
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 信頼性に優れた高出力動作可能な半導体レーザ製造方法を提供することである。【構成】 活性層3およびクラッド層4を基板1の上に堆積した半導体レーザ用ウエハに水素原子が非透過の誘電体膜7を共振器長間隔毎に堆積する工程と、水素原子を含む雰囲気で前記ウエハを熱処理する工程とを含み、活性層共振器端面近傍のみにおいてクラッド層中のドーパントの拡散で自然超格子の無秩序化を行ってバンドギャップを増大させている。

請求項（抜粋）：

活性層およびクラッド層を基板の上に堆積した半導体レーザ用ウエハに水素原子が非透過の誘電体膜を共振器長間隔毎に堆積する工程と、水素原子を含む雰囲気で前記ウエハを熱処理する工程とを含む半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 歪超格子の混晶化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251660   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-033380