化合物半導体の製造装置から生ずる排気ガスから半導体特殊材料ガスの回収

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140588
公開番号（公開出願番号）：特開2001-353420
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体製造に係わる各プロセスにおいて消費されずに排出される排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを回収【解決手段】化合物半導体製造に係わる各プロセスにおいて消費されずに排出される排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを回収する装置において、その装置は、その排気ガス中に含有されるIIA、IIB及び/又はIIIB族元素を実質上除去する装置、その排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを濃縮する装置ならびに濃縮されたV族系半導体特殊材料ガスを充填回収するならびに更に濃縮するシリンダーを含むことを特徴とするV族系半導体特殊材料ガスの回収装置。

請求項（抜粋）：

化合物半導体製造に係わる各プロセスにおいて消費されずに排出される排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを回収する装置において、その装置は、その排気ガス中に含有されるIIA、IIB及び/又はIIIB族元素を実質上除去する装置、その排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを濃縮する装置ならびに濃縮されたV族系半導体特殊材料ガスを充填回収すると伴に更に濃縮する機能を有したシリンダーとそのシリンダーを納めたシリンダーキャビネットを含むことを特徴とするV族系半導体特殊材料ガスの回収装置。

IPC (5件)：

B01D 53/46 , B01D 53/04 , B01D 53/86 , B01J 21/02 ZAB , B01J 23/755

FI (7件)：

B01D 53/04 B , B01D 53/04 F , B01D 53/04 G , B01J 21/02 ZAB A , B01D 53/34 120 A , B01D 53/36 Z , B01J 23/74 321 A

Fターム (29件)：

4D002AA40 , 4D002AC10 , 4D002BA04 , 4D002CA07 , 4D002DA41 , 4D002DA45 , 4D002DA46 , 4D002DA70 , 4D002EA07 , 4D012CA12 , 4D012CA20 , 4D012CB16 , 4D012CB20 , 4D012CD03 , 4D012CD07 , 4D012CH05 , 4D012CJ02 , 4D048AA17 , 4D048AB03 , 4D048BA03X , 4D048BA38X , 4D048CD01 , 4G069AA08 , 4G069BC16B , 4G069BC68B , 4G069CA02 , 4G069CA10 , 4G069CA11 , 4G069DA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

気体の貯蔵・送出方法及び気体の貯蔵・送出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-034460 出願人：高千穂化学工業株式会社

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