特許
J-GLOBAL ID：200903059961543460
スパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 幸春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-352030
公開番号（公開出願番号）：特開2006-161082
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】鋳造時に起因する巣等の欠陥の無い均質なスパッタリングターゲットを製造すること。【解決手段】一次溶解としてArガス等の不活性ガスもしくは水素炎を吹付けながら高周波溶解を行い、溶湯をカーボンロッド、セラミックスロッド(ジルコニア、アルミナ、マグネシア等)で十分攪拌しルツボ中で凝固もしくは鋳型に鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中での高周波溶解、中周波溶解、浮揚溶解、コールドクルーシブル式真空溶解で行う。鋳造を行うにあたっては、インゴット上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Ptを30〜60at%含有するPtFe系合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記スパッタリングターゲットを成す原料を、不活性ガス雰囲気下または水素炎を吹付けながら溶解する一次溶解工程と、
前記一次溶解工程を経て得られたインゴットを、真空またはアルゴンガス雰囲気下で溶解する二次溶解工程と、を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, B22C 9/08
, B22D 7/10
, B22D 27/04
, B22D 27/06
C23C14/34 A
, B22C9/08 G
, B22D7/10 101
, B22D27/04 A
, B22D27/06 B
4E093PB07
, 4E093TA02
, 4K029BD11
, 4K029DC04
, 4K029DC08
