特許

J-GLOBAL ID：200903060028904582

液晶ディスプレイ装置及びその製造方法

発明者： 沼野 良典 ,  小林 和弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301445
公開番号（公開出願番号）：特開平10-142630
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 TFT-LCDでは、ゲート配線幅が広くなり、開口率が低下して消費電力が増大するという問題があった。【解決手段】 ガラス基板1上にゲート電極2と補助容量用の共通配線11とを同時に形成し、さらにこの上にゲート絶縁膜4を形成して、このゲート絶縁膜4を介してゲート電極2上にアモルファスシリコン5及びn+ アモルファスシリコン6を堆積し、このn+ アモルファスシリコン6からソース領域及びドレイン領域を形成すると共に、ゲート絶縁膜4を介して共通配線11を覆うと共に隣接するゲート電極2上に一部が重なるように画素電極12を設けて、ゲート電極2の幅を狭くしながら開口率を高めている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板、この絶縁性基板上に形成された複数のゲート電極、上記絶縁性基板上に形成され、隣接するゲート電極間に配置された補助容量用の共通配線、上記ゲート電極上及び共通配線上を含む絶縁性基板上に形成されたゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜を介して上記ゲート電極の少なくとも一部を覆うように形成された少なくとも一層の半導体材料膜、この半導体材料膜に形成されたソース領域及びドレイン領域、上記ゲート絶縁膜上に形成され、上記共通配線を覆うように形成された画素電極、この画素電極に接続されると共にゲート絶縁膜を介して隣接するゲート電極上に一部が重なるように形成された容量用電極、上記ソース領域及びドレイン領域上にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極を備えたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-033585   出願人：三星電子株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-062209   出願人：三洋電機株式会社