特許
J-GLOBAL ID:200903060031102926

改良された電流拡散構造を有するスケーラブルLED

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-542395
公開番号(公開出願番号):特表2003-524295
出願日: 2000年11月22日
公開日(公表日): 2003年08月12日
要約:
【要約】LEDの活性層(14)への電流注入を改善し、そのパワーおよび光束を向上させる改良された電流拡散構造を有するLED。電流拡散構造は、従来のLEDよりも大きなLEDで使用でき、改良された電流注入が維持される。本発明は、特に、絶縁基板(12)を有するLEDに適用可能であるが、導電性基板を有するLEDの直列抵抗を小さくすることもできる。改良された構造は、協働する導電性の経路を形成する導電性フィンガ(20a、20b、22)を含み、この経路は、電流がコンタクト(19、21)からフィンガ(20a、20b、22)に拡散し、反対のドープされた層(15、16)を通って均一に拡散することを保証する。電流は、活性層(14)に拡散し、活性層(14)全体に電子および正孔を均一に注入し、電子と正孔は再結合して光を放射する。
請求項(抜粋):
改良された電流拡散構造を有するスケーラブル発光ダイオード(LED)であって、 エピタキシャル成長させたp型層(16)、 エピタキシャル成長させたn型層(15)、および 前記p型層とn型層(16、15)の間に設けられたエピタキシャル成長させた活性層(14) を有するLEDコア(13)と、 前記LEDコア(13)に隣接した第1のスプレッダ層(11)と、 前記LEDコア(13)を通して前記第1のスプレッダ層(11)に達する少なくとも1つの溝(23)と、 前記少なくとも1つの溝(23)の中の前記第1のスプレッダ層(11)の上に少なくとも1つの第1の導電性フィンガ(22)を有する第1のコンタクト(21)であって、前記第1のコンタクト(21)から、前記少なくとも1つの第1の導電性フィンガ(22)、前記第1のスプレッダ層(11)および前記LEDコア(13)に電流が流れるようにした第1のコンタクト(21)と、 前記第1のスプレッダ層(11)とは反対側の前記LEDコア(13)の上に少なくとも1つの第2の導電性フィンガ(20a、20b)を有する第2のコンタクト(19)であって、前記第2のコンタクト(19)から、前記少なくとも1つの第2の導電性フィンガ(20a、20b)および前記LEDコア(13)に電流が流れるようにした第2のコンタクト(19)と を備えたことを特徴とするスケーラブルLED。
FI (2件):
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Fターム (7件):
5F041AA04 ,  5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA93 ,  5F041DA09 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平3-268360
  • 特開平3-268360
  • 発光デバイスのための電極構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-331422   出願人:アジレント・テクノロジーズ・インク
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