特許

J-GLOBAL ID：200903060034217775

薄膜半導体装置およびその製造方法

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-056189
出願日： 1993年08月12日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 様々な簡素化工程により、TFTのオン電流の低減を抑えたままでオフリーク電流を低減して、画素保持特性の優れた液晶ディスプレイを実現する。【構成】 ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン注入をし、さらに、コンタクトホールから高濃度のイオン注入する事によってNch薄膜トランジスタのみを選択的にLDD構造とする。PchおよびNchのソース、ドレイン部の濃度差により、フォト工程数を変える。【効果】 画素スイッチングTFTのオフリーク電流およびオフリーク電流のはね上がりが低減する。その結果、フリッカや表示ムラが少なく、さらに画素保持特性の優れた液晶ディスプレイが実現される。また、オン電流の低減はない。

請求項（抜粋）：

ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜およびゲート電極を有するPch薄膜トランジスタとNch薄膜トランジスタを同一基板上に集積してなる薄膜半導体装置において、前記Nch薄膜トランジスタのソース、ドレイン部はドーズ量1×1015cm-2未満の低濃度とし、ソース、ドレイン電極とのコンタクト部分のみをドーズ量1×1015cm-2以上の高濃度としたことを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235096   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-217070   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-247619