特許
J-GLOBAL ID:200903060062368584

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-157639
公開番号(公開出願番号):特開2001-335744
出願日: 2000年05月29日
公開日(公表日): 2001年12月04日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、PCT後の比誘電率特性、クラック耐性、後の基板との密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)それぞれ下記式(1)、(2)、(3)の群から選ばれた少なくとも1種の化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解縮合して得られる縮合物、(B)Ti、Zr、Al、Ta、B、P化合物の群から選ばれた一種の化合物ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。RaSi(OR1)4-a・・・・・(1)Si(OR2)4・・・・・(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・(3)(式中RはH原子、F原子又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2、b、cは0〜2、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)
請求項(抜粋):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、およびSi(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。)(A-3)下記一般式(3)で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d -Si(OR5)3-cR6c ・・・(3)〔式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物をアルカリ触媒の存在下に、加水分解・縮合し、得られる加水分解縮合物と(B)チタン化合物、ジルコニウム化合物、アルミニウム化合物、タンタル化合物、ボロン化合物、リン化合物の群から選ばれる少なくとも1種の化合物ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (11件):
C09D183/00 ,  C08G 77/04 ,  C08K 3/32 ,  C08K 3/38 ,  C08K 5/057 ,  C08K 5/06 ,  C08L 83/04 ,  C09D183/14 ,  C09D185/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (11件):
C09D183/00 ,  C08G 77/04 ,  C08K 3/32 ,  C08K 3/38 ,  C08K 5/057 ,  C08K 5/06 ,  C08L 83/04 ,  C09D183/14 ,  C09D185/00 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (92件):
4J002CP031 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP091 ,  4J002CP141 ,  4J002DH026 ,  4J002DH046 ,  4J002DK006 ,  4J002EC037 ,  4J002EC047 ,  4J002EC076 ,  4J002EE037 ,  4J002EE047 ,  4J002EH007 ,  4J002EH037 ,  4J002EH147 ,  4J002EH157 ,  4J002EP017 ,  4J002ET007 ,  4J002EU027 ,  4J002EU077 ,  4J002EU237 ,  4J002EV207 ,  4J002GH01 ,  4J002GH02 ,  4J035AA01 ,  4J035AA02 ,  4J035AA03 ,  4J035BA01 ,  4J035BA02 ,  4J035BA03 ,  4J035BA04 ,  4J035BA05 ,  4J035BA06 ,  4J035BA11 ,  4J035BA12 ,  4J035BA13 ,  4J035BA14 ,  4J035BA15 ,  4J035BA16 ,  4J035CA061 ,  4J035CA112 ,  4J035CA142 ,  4J035CA152 ,  4J035CA192 ,  4J035EB03 ,  4J035LB01 ,  4J035LB02 ,  4J038DL021 ,  4J038DL041 ,  4J038DL071 ,  4J038DL161 ,  4J038GA07 ,  4J038GA09 ,  4J038HA416 ,  4J038HA476 ,  4J038JA09 ,  4J038JA20 ,  4J038JA26 ,  4J038JA33 ,  4J038JA56 ,  4J038JA57 ,  4J038JB13 ,  4J038JB27 ,  4J038JB30 ,  4J038JB39 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA04 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る