イメージセンサ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306516
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121731
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】ガラスや石英基板上に、アクティブ方式のイメージセンサを高密度に形成する。【解決手段】マトリクス回路には、薄膜トランジスタでなる選択トランジスタTs、増幅トランジスタTa及びリセットトランジスタTrが形成される。フォトダイオードPDはマトリクス回路上に絶縁層を介して積層される。電源線104は隣接する2列で共有され、1画素当たりの配線数を削減する。単位ユニット100を内に形成される全てのトランジスタを1つの島状半導体薄膜に形成し、1画素当たりのコンタクトホール数を少なくする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成され、光電変換部と、前記光電変換部で検出された光信号を読み出すマトリクス回路とが積層されてなり、複数の画素を有するアクティブ方式のイメージセンサであって、前記マトリクス回路は、信号線、電源線、リセット線及び選択線と、前記画素ごとに薄膜トランジスタでなるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタとを有し、隣接する2画素において、前記リセットトランジスタ及び前記増幅トランジスタは共通の前記電源線に電気的に接続され、かつ前記選択トランジスタは異なる前記信号線に電気的に接続されていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 E , H04N 5/335 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-181470
2次元密着型イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229674 出願人：富士ゼロックス株式会社
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-082637 出願人：富士ゼロックス株式会社

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