特許

J-GLOBAL ID：200903060079232414

Nb-Sn化合物系超電導線及びその前駆体

発明者： 久保 芳生 ,  曽根 孝典
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211122
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032190
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 実用的に高いJcを有すると共に、Qhの上昇が抑制されたNb-Sn化合物系超電導線を得ることができる。【解決手段】 Nb-Sn化合物系超電導線15は、ブロンズにNb3Snフィラメント16が埋設され、中心部がブロンズ17のみからなり、その周囲に、上記Nb-Sn化合物系超電導線15の径方向においては、放射状に上記Nb3Snフィラメント16が配置されるとともに、放射状にそれぞれが接触し、かつ外側の上記Nb3Snフィラメントほどその直径が大である。また、上記Nb-Sn化合物系超電導線15の周方向においては、それぞれのNb3Snフィラメント16の間隔が電磁気的に孤立する間隔である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Nb3Snフィラメントがブロンズに埋設されたNb-Sn化合物系超電導線であって、中心部がブロンズのみからなり、その周囲に、上記Nb3Snフィラメントが、上記Nb-Sn化合物系超電導線の径方向において、放射状に配置されるとともに、放射状にそれぞれが電磁気的に結合し、かつ外側のNb3Snフィラメントほどその直径が大であり、上記Nb-Sn化合物系超電導線の周方向において、上記Nb3Snフィラメントが、それぞれ電磁気的に孤立する間隔で配置されていることを特徴とするNb-Sn化合物系超電導線。

IPC (2件)：

H01B 12/10 ,  H01B 13/00

FI (2件)：

H01B12/10 ,  H01B13/00 565F

Fターム (6件)：

5G321AA11 ,  5G321BA03 ,  5G321CA09 ,  5G321CA38 ,  5G321CA41 ,  5G321DC09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公昭61-16141号公報(第1頁)
  
• 化合物系超電導線およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-194781   出願人：三菱電機株式会社