研磨材、その製造方法、及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108755
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298537
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】微細な表面粗さ、良好な研磨加工速度、再現性の良い研磨加工速度を達成でき、媒体中への分散性が良好で且つ安定しており、研磨加工抵抗が低く、且つSi3 N4 研磨速度に対するSiO2 研磨速度の比(選択比)が高い微粒子研磨材、該微粒子研磨材を含む安定なスラリー研磨材、該スラリー研磨材の製造方法、及び該スラリー研磨材を用いる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶酸化セリウムと酸化ケイ素との固溶体微粒子及び酸化ケイ素微粒子を含む微粒子研磨材、及び単結晶酸化セリウム微粒子、シリカゾル及び液体を含む混合物を攪拌混合し、乾燥し、乾燥後の粉体を高温熱処理し、生成した単結晶酸化セリウムと酸化ケイ素との固溶体粉体を冷却後に再度シリカゾル及び液体と混合し、湿式微粉砕機により解凝集してスラリーを得るスラリー研磨材の製造方法、並びに該研磨材を用いる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

単結晶酸化セリウムと酸化ケイ素との固溶体微粒子及び酸化ケイ素微粒子を含むことを特徴とする微粒子研磨材。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 , B24B 37/00 , C01B 33/18 , H01L 21/304 321

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D , B24B 37/00 H , C01B 33/18 Z , H01L 21/304 321 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-266183
特開平2-209730
特開昭60-044577

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