特許
J-GLOBAL ID：200903060149752119
配線基板、半導体パッケージ、基体絶縁膜及び配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382418
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179647
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】 半導体デバイス等の各種デバイスを高密度に搭載することができ、高速配線化及び高密度微細配線化が容易で、信頼性が優れた配線基板、この配線基板を使用する半導体パッケージ、及びこの配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 配線基板13において、基体絶縁膜7を設ける。基体絶縁膜7の膜厚は3乃至100μmとし、温度が23°Cのときの破壊強度を80MPa以上とし、温度が150°Cのときの弾性率を2.3GPa以上とする。また、温度が-65°Cのときの破断強度をa(MPa)、温度が150°Cのときの破断強度をb(MPa)とするとき、比(a/b)の値を2.5以下とし、温度が-65°Cのときの弾性率をc(GPa)とし、温度が150°Cのときの弾性率をd(GPa)とするとき、破壊強度a及びb並びに弾性率c及びdが下記数式を満たすようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ヴィアホールが形成された基体絶縁膜と、この基体絶縁膜の下面に形成され前記ヴィアホールに接続された下層配線と、前記基体絶縁膜上に形成され前記ヴィアホールを介して前記下層配線に接続された上層配線と、を有し、前記基体絶縁膜は、膜厚が3乃至100μmであり、温度が23°Cのときの破断強度が80MPa以上であり、温度が-65°Cのときの破断強度をa、温度が150°Cのときの破断強度をbとするとき、比(a/b)の値が4.5以下であることを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H01L21/60
, H01L23/12
, H05K3/46
H01L21/60 311Q
, H01L23/12 501B
, H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 T
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346CC08
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC34
, 5E346CC37
, 5E346CC38
, 5E346DD02
, 5E346DD03
, 5E346DD22
, 5E346DD32
, 5E346EE33
, 5E346FF01
, 5E346FF04
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG23
, 5E346GG28
, 5E346HH11
, 5F044KK02
, 5F044KK07
, 5F044KK09
, 5F044LL13
