半導体装置及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181593
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312339
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 SOG膜による良好な平坦性を維持しつつ、SOG膜に含まれる水分や水酸基によるトランジスタの劣化を防止すること。【解決手段】 Si基板1上ゲート絶縁膜2、ゲート電極3及びソース・ドレイン領域4を形成してMOSトランジスタを完成する。そして、デバイスの全面にシリコン酸化膜5を形成し、その上に有機SOG膜6を形成した後、このSOG膜6にアルゴンイオンを注入して膜中の有機成分を分解させると共に、膜中に含まれる水分及び水酸基を減少させる。有機SOG膜6にイオンを注入することにより、SOG膜が改質されて、膜中に含まれる水分や水酸基が減少しかつSOG膜が吸水しにくくなり、トランジスタに悪影響を与えにくくなる。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜を介して形成された下導電部と上導電部とを接続するためのコンタクトホール内に導電性プラグを形成したものにおいて、前記層間絶縁膜の少なくとも一部は、不純物を含有した層であることを特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/265 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L 21/90 P , H01L 21/31 C , H01L 21/316 B , H01L 21/316 H , H01L 21/265 Y , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-245673 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-135900 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-199456

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