特許

J-GLOBAL ID：200903060158072228

電荷転送装置

発明者： 豊田 新
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177171
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】電荷転送装置の電極間の絶縁耐圧を向上させ、ショートによる製造歩留り低下を防ぐ。【構成】第1ゲート電極5の上面にシリコン酸化膜4を側面にシリコン窒化膜又はポリシリコン膜6を形成し、第1ゲート電極5の露出部分を除去し、第2ゲート絶縁膜7を設けたのちに第2ゲート電極8を形成する。

請求項（抜粋）：

第1のゲート絶縁膜が形成された半導体基板上に、上面に絶縁膜が積層された第1のゲート電極が形成され、該第1のゲート電極の側面に絶縁膜もしくは多結晶シリコン膜のサイドウォールが形成され、該第1のゲート電極の直下部分以外の該第1のゲート絶縁膜が除去された後該半導体基板上に第2のゲート絶縁膜が形成され、該第2のゲート絶縁膜を介して第2のゲート電極が形成されている構造を有することを特徴とする電荷転送装置。

IPC (2件)：

H01L 21/339 ,  H01L 29/796

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-107930
  
• 特開平4-279036
  
• 電荷転送素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149332   出願人：三菱電機株式会社