特許
J-GLOBAL ID：200903060178166300

貼り合わせ基板の作製方法

発明者：
武井 時男

武井 時男 について

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中村 進

中村 進 について

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中澤 一志

中澤 一志 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

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長野電子工業株式会社

長野電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054098
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242091
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 貼り合わせ基板の外周部を研削後、エッチングによりウエーハ外周部の未結合部を完全に除去した後の形状が、バスケットのウエーハ支え部を削ってしまったり、あるいは引っかかってしまうようなことのないようにする。【解決手段】 貼り合わせ基板の作製方法において、デバイス作製側基板の外周部を所定厚まで除去する研削を二段階で行い、そのうちの一段階は、外周部の未結合部が存在する領域を埋め込み酸化膜及び支持側基板にダメージを与えない範囲で薄く研削し、他の一段階は未結合部が存在する領域よりさらに内側の領域であって、当該貼り合わせウエーハの未結合部を完全に除去するエッチング工程以降にウエーハを収容あるいは搬送するために用いられるウエーハバスケットのウエーハ支え部に接触しない領域までを、少なくともデバイス作製側基板表面の酸化膜を除去するものであり、かつ前記未結合部が存在する領域より厚くなるように研削することを特徴とする貼り合わせ基板の作製方法。
請求項（抜粋）：
二枚の半導体基板のうち、少なくとも一方の半導体基板の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方の半導体基板と密着させ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えて強固に結合させた後、デバイス作製側基板の外周部を所定厚まで研削して除去し、その後エッチングにより該デバイス作製側基板外周部の未結合部を完全に除去し、しかる後に該デバイス作製側基板を研削・研磨して、所望厚さまで薄膜化する貼り合わせ基板の作製方法において、前記デバイス作製側基板の外周部を所定厚まで除去する研削を二段階で行う、ことを特徴とする貼り合わせ基板の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02
FI (2件)：
H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/02 B
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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