有機薄膜発光トランジスタ及びそれを用いた発光輝度制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：苗村新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082848
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282256
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】有機EL素子と有機トランジスタを一体化し、特性を向上させる。基板上に占める発光部の比占有面積を改良した有機薄膜発光トランジスタを提供し、ゲート電圧を変化させるだけで素子の発光輝度を変調することができる発光輝度制御方法を提供する。【解決手段】基板2と、基板2の一方の面に設けられたゲート電極3と、基板2のゲート電極3側の面に、少なくともゲート電極3を含む領域を覆うよう設けられたゲート絶縁薄膜層4と、ゲート絶縁薄膜層4の表面に形成された有機トランジスタ活性薄膜層5と、活性薄膜層5の表面に設けられた電極B7と、活性薄膜層5の表面に電極B7を包囲するように設けられたソース電極6と、少なくとも電極B7の一部を覆うように設けられた有機エレクトロルミネッセンス薄膜層8と、有機エレクトロルミネッセンス薄膜層8の表面に形成された電極A9とを具備することを特徴とする有機薄膜発光トランジスタ。

請求項（抜粋）：

基板と、基板の一方の面に設けられたゲート電極と、基板のゲート電極が形成された側の面に、少なくともゲート電極を含む領域を覆うよう設けられたゲート絶縁薄膜層と、ゲート絶縁薄膜層の表面に形成された有機トランジスタ活性薄膜層と、有機トランジスタ活性薄膜層の表面に設けられた電極Bと、有機トランジスタ活性薄膜層の表面に電極Bを包囲するように設けられたソース電極と、少なくとも電極Bの一部を覆うように設けられた有機エレクトロルミネッセンス薄膜層と、有機エレクトロルミネッセンス薄膜層の表面に形成された電極Aとを具備することを特徴とする有機薄膜発光トランジスタ。

IPC (9件)：

H05B 33/14 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09G 3/20 624 , G09G 3/20 641 , G09G 3/20 642 , G09G 3/30 , H05B 33/08 , H05B 33/26

FI (9件)：

H05B 33/14 A , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09G 3/20 624 B , G09G 3/20 641 D , G09G 3/20 642 D , G09G 3/30 K , H05B 33/08 , H05B 33/26 Z

Fターム (28件)：

3K007AB02 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 3K007GA04 , 5C080AA06 , 5C080BB05 , 5C080DD05 , 5C080DD07 , 5C080DD10 , 5C080DD25 , 5C080DD28 , 5C080EE29 , 5C080FF11 , 5C080HH09 , 5C080JJ05 , 5C080JJ06 , 5C094AA10 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094CA20 , 5C094DA14 , 5C094EA04 , 5C094FA01 , 5C094FB01 , 5C094FB14

引用特許：

審査官引用 (4件)

スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056102 出願人：パイオニア株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-157209 出願人：鹿児島日本電気株式会社
特表平3-502132

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