特許

J-GLOBAL ID：200903060201199440

誘電体磁器組成物

発明者： 河田 智明
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 山谷 晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200244
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034165
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】Ag、Cu等を内部導体として使用でき、PbO、Bi2 O3 を含まない誘電体磁器組成物を提供すること。【解決手段】xBaO・yNd2 O3 ・zTiO2 において6≦x≦23、13≦y≦30、64≦z≦68、x+y+z=100の範囲にある誘電体磁器に対して、副成分としてCu酸化物をCuO換算にて0.1〜3.0wt%、ガラス組成物を2.0〜10wt%、の範囲で含有せしめた誘電体磁器。ただし、前期ガラス組成物はその90wt%以上がSiO2 、B2 O3 、MgO、BaO、SrO、ZnOおよびCaOから選択され、以下の組成の範囲にある。5wt%≦SiO2 ≦15wt%、15wt%≦B2 O3 ≦25wt%、50wt%≦(MgO+BaO+SrO+ZnO+CaO)≦80wt%、90wt%≦(SiO2 +B2 O3 +MgO+BaO+SrO+ZnO+CaO)≦100wt%。

請求項（抜粋）：

一般式xBaO・yNd2 O3 ・zTiO2 において6≦x≦2313≦y≦3064≦z≦68x+y+z=100の範囲にある誘電体磁器に対して副成分としてCu酸化物をCuO換算にて0.1〜3.0wt%ガラス組成物を 2.0〜 10wt%の範囲で含有せしめたことを特徴とする誘電体磁器組成物。ただし、副成分として用いるガラス組成物はその90wt%以上がSiO2 、B2 O3 、MgO、BaO、SrO、ZnOおよびCaOの中から選択されたものからなり、かつ以下の組成の範囲にあるものとする。5wt%≦SiO2 ≦15wt%15wt%≦B2 O3 ≦25wt%50wt%≦(MgO+BaO+SrO+ZnO+CaO)≦80wt%90wt%≦(SiO2 +B2 O3 +MgO+BaO+SrO+ZnO+CaO)≦100wt%

IPC (4件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 311 ,  H01G 4/12 415 ,  H01P 7/10

FI (4件)：

C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 311 ,  H01G 4/12 415 ,  H01P 7/10

Fターム (44件)：

4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AA02 ,  5G303AB06 ,  5G303AB08 ,  5G303AB11 ,  5G303AB15 ,  5G303BA12 ,  5G303CA03 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB11 ,  5G303CB17 ,  5G303CB22 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303CB41 ,  5J006HC07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低温焼成用誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276594   出願人：日本碍子株式会社
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-224203   出願人：株式会社村田製作所