特許

J-GLOBAL ID：200903060205656616

半導体製造装置

発明者： 城崎 友秀 ,  菊地 一夫 ,  平野 信介 ,  門村 新吾 ,  佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300971
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130830
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 ウエハを極低温から高温までの広範囲で効率良く温度制御することができ、かつウエハ全面に均一に高周波を印加することができるようにする。【構成】 内部には冷媒が導入される中空室21を有しかつ上面が開口状態に形成されている温度制御槽20と、温度制御槽20の上部に配置されかつウエハSを静電吸着するための静電チャック11とからなる載置台10を備え、静電チャック11は、高周波印加用の電極14とヒータ13と静電吸着用の平板電極12とが絶縁体15を介して順次積層されると共にこれら全体が絶縁体15で被覆されてなり、かつ下面が温度制御槽20の上面の開口26を塞ぐ状態に配置されるようにする。

請求項（抜粋）：

内部には冷媒が導入される中空室を有しかつ上面が開口状に形成されてなる温度制御槽と、該温度制御槽の上部に配置されかつウエハを静電吸着するための静電チャックとからなる載置台を備え、前記静電チャックは、高周波印加用の電極とヒータと静電吸着用の平板電極とが絶縁体を介して順次積層されると共にこれら全体が前記絶縁体で被覆されてなり、かつ下面が前記温度制御槽の上面の開口を塞ぐ状態に配置されることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-200625
  
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231275   出願人：株式会社日立製作所
• 静電チャック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-354709   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社