特許

J-GLOBAL ID：200903060214457707

基体検査方法及び装置

発明者： 恒岡 正年 ,  高嶋 直樹 ,  高倉 慶子
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212484
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045925
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 基体上の異常を検出する検出率を向上することが可能な基体検査方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る基体検査方法は、(1)走査型電子顕微鏡装置12を用いて基体20上の検査対象領域Sに電子ビームを照射し、検査対象領域Sから出射される二次電子を検出して、検査対象領域Sの検査画像情報を取得する検査画像情報取得工程と、(2)検査画像情報取得工程において取得した検査対象領域Sの検査画像情報と、検査対象領域Sよりも広い比較対象領域Rの比較画像情報とに基づいて、検査対象領域Sの異常の有無を解析する解析工程と、を備える。

請求項（抜粋）：

走査型電子顕微鏡装置を用いて基体上の検査対象領域に電子ビームを照射し、該検査対象領域から出射される二次電子を検出して、該検査対象領域の検査画像情報を取得する検査画像情報取得工程と、前記検査画像情報取得工程において取得した前記検査対象領域の前記検査画像情報と、該検査対象領域よりも広い比較対象領域の比較画像情報とに基づいて、該検査対象領域の異常の有無を解析する解析工程と、を備える基体検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/28

FI (2件)：

H01L 21/66 J ,  H01J 37/28 B

Fターム (16件)：

4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  5C033FF10 ,  5C033JJ07 ,  5C033MM07 ,  5C033UU05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ウェ-ハ形状自動観察方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002875   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 半導体試料の検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-015920   出願人：日本電子株式会社
• パタ-ン欠陥分類装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-374715   出願人：日本電子株式会社, 日本電子システムテクノロジー株式会社
• 位置合わせ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-263439   出願人：株式会社ニコン