特許

J-GLOBAL ID：200903060269943112

結合超伝導電荷量子ビット素子、それを用いた制御否定ゲート

発明者： 山本 剛 ,  中村 泰信 ,  蔡 兆申
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所
代理人 (2件)： 後藤 洋介 ,  池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-286640
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057068
出願日： 2003年08月05日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】 量子計算に必要な制御否定ゲートを結合超伝導電荷量子ビット系において実現する方法を提供する。【解決手段】 制御量子ビット回路(100)及び標的量子ビット回路(200)の各々は、超伝導体で構成された量子箱電極(101,201)と、この量子箱電極とトンネルバリア(104,204)を挟んで結合された対向電極(102,202)と、量子箱電極とゲート容量(105,205)を介して結合したゲート電極(103,203)とから構成されている。制御量子ビット素子の量子箱電極と標的量子ビット素子の量子箱電極とは、箱電極結合容量(300)を介して結合されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1の超伝導電荷量子ビット素子と、第2の超伝導電荷量子ビット素子と、前記第1及び前記第2の超伝導電荷量子ビット素子を結合する電気容量素子とを有することを特徴とする超伝導電荷量子マルチビット素子。

IPC (5件)：

H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L39/22 ,  H03K19/195

FI (5件)：

H01L29/80 A ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/66 T ,  H01L39/22 G ,  H03K19/195

Fターム (14件)：

4M113AB01 ,  4M113AC45 ,  4M113AD26 ,  5F102FB00 ,  5F102FB05 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GV02 ,  5J042AA00 ,  5J042BA01 ,  5J042BA15 ,  5J042CA27 ,  5J042CA29 ,  5J042DA00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 量子演算素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082019   出願人：日本電気株式会社