光電変換素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347808
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152207
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層(拡散層)を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子において、半導体基板の受光面側に半導体基板よりもバンドギャップが大きく、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む半導体薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。あるいは、半導体基板の受光面側に波長2000nm以下の光を95%以上透過させ、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む絶縁性薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子であって、前記半導体基板の受光面側に設けられ、前記半導体基板のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導体により構成され、かつ、前記半導体基板の導電性と同一の導電性を付与する元素を含有する半導体薄膜と、前記半導体薄膜に含有された前記元素の拡散により前記半導体基板の表面に形成され、前記半導体基板の導電性を付与する元素の濃度よりも高い濃度で導電性を付与する元素を含有する拡散層と、を具備することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 31/04 A , H01L 31/04 B

Fターム (23件)：

5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA63 , 5F045DA65 , 5F045DA68 , 5F045DP03 , 5F045EH13 , 5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051AA05 , 5F051CA17 , 5F051CB20 , 5F051CB29 , 5F051DA03 , 5F051DA07 , 5F051DA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-192371
特開平4-027169
特開昭60-076176

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引用文献：

審査官引用 (1件)

efficiency improvements of back-contact type photovoltaic cells by a floating emitter

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