特許

J-GLOBAL ID：200903060274435907

シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法

発明者： 相原 健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144546
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332074
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を簡便な方法で測定し評価することを目的とし、特に2×1014ケ/cm3 以下の窒素濃度であっても、シリコン単結晶ウェーハからその窒素濃度を評価することができる方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施すことにより形成される酸素・窒素ドナーの濃度に基づいて、該シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定するようにした。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施すことにより形成される酸素・窒素ドナーの濃度に基づいて、該シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/324 N

Fターム (9件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA20 ,  4M106CA10 ,  4M106CA70 ,  4M106CB30 ,  4M106DJ15 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-163646
  
• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト