特許

J-GLOBAL ID：200903060285588675

半導体装置の製造方法

発明者： 荘 達人 ,  徐 義裕 ,  張 博勝
出願人/特許権者： 南▲亜▼科技股▲分▼有限公司
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137183
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186253
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】LOCOS法におけるバーズビークの形成を防ぎ再現性にも優れて厚さが均等な分離物を形成し、同時に、この分離物が形成されても略平坦な表面を維持しつつ、分離物を形成するときに発生する応力や窒素成分の拡散を大幅に抑制して、半導体素子の品質を向上させる。【解決手段】半導体基板20上に形成された薄い酸化膜21とシリコン窒化膜22のマスク層を選択的にエッチングして開口部23を形成し、素子間分離物を形成したい部分の半導体基板20を、開口部23を介して露出させる。この開口部23の下方の半導体基板20に酸素イオンを斜めに打ち込み、その範囲がマスク層端部の下方に達するイオン注入領域24を形成する。さらに、熱酸化成長法を利用して、露出した部分の半導体基板20に素子間分離物となるフィールド酸化膜を形成する。さらに、そのマスク層を除去して半導体素子の分離物形成工程を完了する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の分離に使用される選択酸化法を用いた半導体装置の製造方法において、半導体基板の表面上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層を選択的にエッチングして前記マスク層に開口部を形成する工程と、前記開口部下方の半導体基板に酸素イオンを斜めに打ち込んで、範囲が前記マスク層端部の下方に達するイオン注入領域を形成する工程と、熱酸化成長法を利用して、前記開口部を介して露出した半導体基板にフィールド酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/76 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120312   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社