特許

J-GLOBAL ID：200903060292305425

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 枡井 真吾 ,  森住 知典
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-203606
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101536
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 短波長域で発振可能である窒化物半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 基板上に、Alを含む窒化物半導体からなるn型クラッド層とn型光ガイド層、InとAlとを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造をした活性層、及びAlを含む窒化物半導体からなるp型光ガイド層とp型クラッド層とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層の井戸層が、AlxInyGa1-x-yN(0.02≦x≦0.05、0.005≦y≦0.03、x+y<1)からなり、該活性層を挟んだ第1の障壁層及び第2の障壁層がAluGa1-uN(0.10≦u≦0.17)からなり、前記井戸層の膜厚が前記障壁層の膜厚よりも厚膜であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、Alを含む窒化物半導体からなるn型クラッド層とn型光ガイド層、InとAlとを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造をした活性層、及びAlを含む窒化物半導体からなるp型光ガイド層とp型クラッド層とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、 前記活性層の井戸層が、AlxInyGa1-x-yN(0.02≦x≦0.05、0.005≦y≦0.03、x+y<1)からなり、該活性層を挟んだ第1の障壁層及び第2の障壁層がAluGa1-uN(0.10≦u≦0.17)からなり、 前記井戸層の膜厚が前記障壁層の膜厚よりも厚膜であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (8件)：

5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-075090   出願人：三洋電機株式会社