特許
J-GLOBAL ID：200903056769336010
窒化ガリウム系化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075090
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270756
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 InxGa1-xNを用いる発光デバイスにおいて、高発光効率で且つ歩留まり良く製造可能な窒化物系化合物半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の窒化ガリウム系化合物半導体装置は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層3と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層5との間に、AlxInyGa1-x-yN化合物半導体層からなる発光層4を設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、AlxInyGa1-x-yN化合物半導体層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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