特許

J-GLOBAL ID：200903060298887450

半導体装置とこの半導体装置の製造方法

発明者： 吉富 崇
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324457
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163323
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、高速動作の妨げとなっている寄生容量を小さくでき、さらにオーバーラップ長を短くすることができ、実効的なチャネル長は長くなり、よって短チャネル効果を抑制できる。【解決手段】 この発明は、ゲート電極とソース及びドレイン拡散層とのオーバーラップ領域において、ゲー卜絶縁膜は除去され空間となっている、もしくは低誘電率の酸化膜で充填されており、また、ゲート電極を酸化することにより側壁を形成した後、イオン注入を行うことにより、ゲート電極に対してのイオン注入領域にオフセットができるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

ソース拡散層とドレイン拡散層とこれらの間のチャネルの上方にゲート絶縁膜を介して形成されているゲート電極とを有するMISトランジスタを備えた半導体装置において、上記ソース拡散層と上記ゲート電極との間、および上記ドレイン拡散層と上記ゲート電極との間の少なくとも一方がゲート絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁膜で充填されており、ゲー卜絶縁膜に対してゲー卜電極の長さが長くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• MISトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-225019   出願人：日産自動車株式会社
• 特開昭58-084462