特許
J-GLOBAL ID：200903060324554198
銅配線ならびにその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135461
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明が解決しようとする課題は、高純度で電気的特性に優れた銅薄膜の配線を提供することである。また、そのような銅配線を可能とする製造方法を提供することである。【解決手段】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として用いたCVD法において、フッ素を含有するガスを供給すると、このフッ素及び、原料ガス供給用の水素が反応に寄与し、不純物は気体として表面から脱離する。従って基板との界面付近における不純物濃度の上昇が抑制され、得られる銅配線は、低電気抵抗で信頼性が高い。特に微細化された配線においてその効果が大きい。
請求項（抜粋）：
炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として用いたCVD法において、フッ素を含有するガスを少なくとも成膜初期において原料と同時に供給して得られることを特徴とする銅配線。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, C23C 16/18
, H01L 21/3205
H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/285 C
, C23C 16/18
, H01L 21/88 M
