薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318895
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163581
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】製造時の歩留まりやスループットの低下の問題を解消するとともに、投射型液晶表示装置などに用いられるような場合の光リーク電流の問題を解消したTFTを提供する。【構成】半導体膜107自体のソース領域111およびドレイン領域115の少なくとも表面に不純物添加されてオーミック接合部が直接形成されているので、従来のような別体のオーミックコンタクト層(膜)を省略することができる。これにより従来のオーミックコンタクト層での反射光に起因したTFT光リーク電流を解消することができ、またオーミックコンタクト層の形成を省略できることにより歩留まりやスループットを向上することができる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、不純物が添加されて少なくとも表面にオーミック接合部が形成されたソース領域および不純物が添加されて少なくとも表面にオーミック接合部が形成されたドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル領域とを有する半導体膜と、透明導電膜から形成され前記ソース領域の表面に被着されて該ソース領域の表面にオーミック接合するソース配線および透明導電膜から形成され前記ドレイン領域の表面に被着されて該ドレイン領域の表面にオーミック接合するドレイン配線とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-196222
特開平2-062051
特開昭63-158875

全件表示

前のページに戻る