特許
J-GLOBAL ID：200903060331944147
セラミック電子部品の外部電極形成方法およびセラミック電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-289218
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128168
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】素体との境界部分に発生する外部電極の三日月形状を抑制することができるセラミック電子部品およびその外部電極形成方法を提供する。【解決手段】セラミック電子部品の素体を浸漬速度V1で導電性ペースト膜中に浸漬し、下死点H0に到達すると、直ちにセラミック電子部品の素体を引き上げ速度V2で引き上げる。そして、セラミック電子部品の素体の引上げ途中で(セラミック電子部品の素体の端部に付着している導電性ペーストと導電性ペースト膜が繋がった状態で)引き上げを一旦停止する。所定の停止時間T経過後、再びセラミック電子部品の素体を速度V3で引き上げ、導電性ペースト膜とセラミック電子部品の素体の端部に付着した導電性ペーストとが完全に離れた後、引き上げ速度V4で急激に引き上げる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
セラミック電子部品の素体の端部を所定の厚さの導電性ペースト膜に浸漬し、前記セラミック電子部品の素体が下死点に到達すると、直ちに前記セラミック電子部品の素体の引き上げ動作を開始することを特徴とするセラミック電子部品の外部電極形成方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01G4/30 301B
, H01G4/30 311E
5E082AB03
, 5E082BB07
, 5E082BC14
, 5E082CC03
, 5E082EE04
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG26
, 5E082GG28
