気中不純物の評価方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308374
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079362
出願日： 2003年09月01日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】クリーンルーム内で突発的に不純物濃度が上昇した際に速やかに検知できる気中不純物の評価方法を提供する。さらには、この気中不純物の評価方法を用いて、歩留まり向上を図った半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】撥水性表面1aを有する傾斜台1に常温のクリーンルーム雰囲気を接触させ、傾斜台1を温度調整手段2で氷点下に冷却して撥水性表面1aに氷6を生成し、温度調整手段2の動作変更によって傾斜台1の撥水性表面1aが氷点を上回るようにして撥水性表面1aから氷6を落下させて一括的に回収し、回収された氷6を融解して不純物濃度を分析するようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

撥水性表面を有する傾斜台に常温のクリーンルーム雰囲気を接触させ、傾斜台を温度調整手段で氷点下に冷却して撥水性表面に氷を生成し、温度調整手段の動作変更によって傾斜台の撥水性表面が氷点を上回るようにして撥水性表面から氷を落下させて一括的に回収し、回収された氷を融解して不純物濃度を分析することを特徴とする気中不純物の評価方法。

IPC (3件)：

H01L21/02 , G01N1/22 , G01N1/28

FI (3件)：

H01L21/02 D , G01N1/22 X , G01N1/28 X

Fターム (27件)：

2G052AA03 , 2G052AB01 , 2G052AB12 , 2G052AB27 , 2G052AC13 , 2G052AD02 , 2G052AD22 , 2G052AD32 , 2G052AD46 , 2G052BA05 , 2G052BA21 , 2G052EB04 , 2G052EB05 , 2G052EB08 , 2G052EB09 , 2G052EB13 , 2G052FD09 , 2G052GA12 , 2G052JA07 , 2G059AA01 , 2G059BB04 , 2G059CC12 , 2G059DD04 , 2G059DD18 , 2G059EE01 , 2G059HH03 , 2G059PP02

引用特許：

出願人引用 (1件)

雰囲気の分析方法及び分析装置並びにクリーンルーム雰囲気の制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-108204 出願人：富士通株式会社

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