半導体装置、電気光学装置および電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-095636
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285977
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】コンタクトホールを介してのITO層と下層側との接続部分での接続抵抗を低減することのできる半導体装置、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。【解決手段】トップエミッション型の有機EL表示装置100において、分厚い第2層間絶縁膜144bの表面に形成された反射層113は、ITO層からなる画素電極111の略全体と重なる領域に形成され、第2層間絶縁膜144bの深いコンタクトホール145を介してソース・ドレイン電極147に電気的に接続している。ソース・ドレイン電極147の最表層は窒化チタン層からなるバリア層で構成され、反射層113は、導電性下地層として窒化チタン層で構成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも、金属あるいは金属化合物からなる導電層、層間絶縁膜、およびITO層が基材上にこの順に積層され、前記層間絶縁膜には前記導電層と前記ITO層を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された半導体装置において、前記導電層の少なくとも最表層は、高融点金属、高融点金属窒化物および高融点金属シリサイドのうちのいずれかからなるバリア層から構成され、前記層間絶縁膜の表面側には、前記ITO層の下層側に前記コンタクトホールを介して前記導電層が電気的に接続する高融点金属、高融点金属窒化物および高融点金属シリサイドのうちのいずれかからなる導電性下地層が形成され、前記ITO層は、前記導電性下地層を介して前記導電層に電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (4件)：

H01L21/90 A , H05B33/14 A , H01L21/88 R , H01L29/78 616V

Fターム (75件)：

3K007AB05 , 3K007AB11 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 3K007GA00 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ29 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ35 , 5F033JJ38 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK29 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK35 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033VV15 , 5F033XX09 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075981 出願人：キヤノン株式会社

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