特許
J-GLOBAL ID：200903060375793650
薄いゼオライト膜の調製法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
日比 紀彦
, 岸本 瑛之助
, 渡邊 彰
, 清末 康子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158156
公開番号（公開出願番号）：特開2004-026644
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】1回の水熱処理により結晶化されるゼオライト相からなる担持ゼオライト膜の製造法を提供する。【解決手段】a)少なくとも1つの有機極性化合物が加えられた、少なくとも1つのシリカ源及び水を含むゲル又は溶液の形成;b)前記ゲル又は前記溶液を多孔質担体と接触させること;c)前記ゲル又は前記溶液からのゼオライト結晶化;及びd)残留剤の除去を含む、ゼオライト相が少なくとも85%の結晶性を有するゼオライト/担体複合層からなる担持ゼオライト膜の調製法であって、工程(a)で前記ゲル又は前記溶液中の水とシリカのモル比は、27:1から35:1であること、及び工程(c)で結晶化時間は、少なくとも25時間であることを特徴とする方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
a)少なくとも1つの有機極性化合物が加えられた、少なくとも1つのシリカ源及び水を含むゲル又は溶液の形成;
b)前記ゲル又は前記溶液を多孔質担体と接触させること;
c)前記ゲル又は前記溶液からのゼオライト結晶化;及び
d)残留剤の除去を含む、ゼオライト相が少なくとも85%の結晶性を有するゼオライト/担体複合層からなる担持ゼオライト膜の調製法であって、工程(a)で前記ゲル又は前記溶液中の水とシリカのモル比は、27:1から35:1であること、及び工程(c)で結晶化時間は、少なくとも25時間であることを特徴とする方法。
IPC (6件)：
C01B37/02
, B01D69/02
, B01D69/10
, B01D71/02
, C07C7/13
, C07C9/10
C01B37/02
, B01D69/02
, B01D69/10
, B01D71/02
, B01D71/02 500
, C07C7/13
, C07C9/10
4D006GA01
, 4D006GA41
, 4D006MA02
, 4D006MA09
, 4D006MB04
, 4D006MB06
, 4D006MC01X
, 4D006NA01
, 4D006NA63
, 4D006NA64
, 4D006PA01
, 4D006PB20
, 4D006PB68
, 4G073BA63
, 4G073BB48
, 4G073BD18
, 4G073CZ49
, 4G073CZ54
, 4G073FB11
, 4G073FC06
, 4G073FC18
, 4G073FC27
, 4G073UA06
, 4H006AA02
, 4H006AA05
, 4H006AD19
, 4H006BA71
, 4H006DA46
