特許
J-GLOBAL ID：200903060410292074
多層セラミック基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205888
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032469
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 薄型及び小型の利点を損なうことなく、表面実装されるチップ部品の部品点数の削減を可能とする。【解決手段】 セラミック基板が複数積層されるとともに内層に受動素子が形成される第1の積層体1を備える多層セラミック基板であって、第1の積層体1上に、セラミック基板より小面積のセラミック基板が複数積層されるとともに内層に受動素子が形成される第2の積層体3が設けられる。第2の積層体3の高さが、第1の積層体上に実装される半導体素子2の高さ以下とされる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック基板が複数積層されるとともに内層に受動素子が形成される第1の積層体を備える多層セラミック基板であって、
前記第1の積層体上に、前記セラミック基板より小面積のセラミック基板が複数積層されるとともに内層に受動素子が形成される第2の積層体が設けられることを特徴とする多層セラミック基板。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
5E346AA22
, 5E346FF45
, 5E346HH22
