半導体発光デバイスの製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-166093
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277441
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色LEDと、青色LEDの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色LEDが放つ青色光を吸収して550nm以上で600nm以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式(Sr1-a1-b1-x Baa1Cab1Eux )2 SiO4 (0≦a1≦0.3、0≦b1≦0.8、0<x<1)で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

430nmを超え500nm以下の波長領域に主発光ピークを有する発光を放つ青色発光素子と、上記青色発光素子が放つ青色光を吸収して550nm以上600nm以下の波長領域に主発光ピークを有する蛍光を放つ黄色系蛍光体を含む蛍光体層とを備えた半導体発光デバイスの製造方法であって、真比重が3.0以上4.65以下の範囲内にあり、かつ、室温下における発光の主発光ピーク波長が560nm以上600nm以下の範囲内にある上記黄色系蛍光体と、真比重が0.8以上で上記黄色系蛍光体の真比重以下の範囲内にある樹脂とを含む蛍光体ペーストにより、少なくとも上記青色発光素子の光取り出し面を覆う工程(a)と、上記蛍光体ペーストを硬化することにより、上記蛍光体層を形成する工程(b)とを含み、上記工程(a)では、上記黄色系蛍光体として、 Mg,Ca,Sr,Ba,Sc,Y,ランタノイド,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Zn,B,Al,Ga,In,Si,Ge,Sn,Pの中から選ばれる少なくとも一つの元素と、O,S,Se,F,Cl,Brの中から選ばれる少なくとも一つの元素とによって構成される化合物を母体とする蛍光体を用いることを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L33/00 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/66

FI (4件)：

H01L33/00 N , C09K11/08 J , C09K11/59 , C09K11/66

Fターム (48件)：

4H001CA04 , 4H001CA05 , 4H001XA00 , 4H001XA05 , 4H001XA08 , 4H001XA09 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA14 , 4H001XA15 , 4H001XA16 , 4H001XA17 , 4H001XA20 , 4H001XA21 , 4H001XA22 , 4H001XA23 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA32 , 4H001XA34 , 4H001XA35 , 4H001XA38 , 4H001XA39 , 4H001XA40 , 4H001XA41 , 4H001XA42 , 4H001XA49 , 4H001XA50 , 4H001XA56 , 4H001XA72 , 4H001XA73 , 4H001XA74 , 4H001YA63 , 5F041AA04 , 5F041AA11 , 5F041DA02 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA18 , 5F041DA19 , 5F041DA26 , 5F041DA42 , 5F041DA44 , 5F041DA57 , 5F041DA58 , 5F041DA78 , 5F041DB01

引用特許：

出願人引用 (8件)

特許第2927279号公報
白色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-316293 出願人：化成オプトニクス株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-003788 出願人：松下電子工業株式会社

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