光半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029703
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214988
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】発光効率の高いプレーナー型LEDおよびホトカプラ、スイッチング速度の速いサイリスタを提供する。【解決手段】両性不純物を添加して形成したP型半導体領域と、前記両性不純物と同じあるいは別の両性不純物を、前記P型半導体領域に添加して形成したN型半導体領域とからなるPN接合を有する光半導体装置であって、ガリウム砒素あるいはアルミニウムガリウム砒素からなり、P型半導体領域の不純物濃度を所定の値に設定することにより、これら半導体のバンドギャップより小さいエネルギーを有する、即ち長い波長の光を放出するようにする。この放出された光は、半導体の自己吸収波長より長く、半導体の自己吸収が生じないため、発光効率が高くなる。

請求項（抜粋）：

両性不純物を添加して形成した一導電型の半導体領域と、前記両性不純物と同一あるいは別の両性不純物を前記一導電型の半導体領域内に添加して形成した逆導電型の半導体領域とからなるPN接合を有する光半導体装置において、前記一導電型および逆導電型の半導体領域はガリウムおよび砒素を含む半導体からなり、該半導体のバンドギャップより小さいエネルギーを有する波長の光を放出することを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/09 , H01L 31/12 , H01L 31/14

FI (3件)：

H01L 31/00 A , H01L 31/12 C , H01L 31/14 A

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-047877
特開平4-303976
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-213762 出願人：京セラ株式会社

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