特許

J-GLOBAL ID：200903060434038756

半導体装置ならびにその製造方法および製造装置

発明者： 田 康秀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271092
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130731
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】金属配線を覆うパッシベーション膜の耐湿性を高め、半導体装置の信頼性を高める。【構成】パッシベーション膜をシリコン窒化膜4(密)、シリコン窒化膜5(疎)を交互に重ねた多層構造とする。【効果】シリコン窒化膜5(疎)で膜中に入り込んだ水分を吸湿し、シリコン窒化膜4(密)で下層への水分の侵入を抑える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子を保護するパッシベーション膜とを備えた半導体装置において、前記パッシベーション膜は、膜の緻密の程度を交互に変えて複数層に重ねた構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/54

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-095556
  
• 絶縁膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-039135   出願人：富士電機株式会社