特許
J-GLOBAL ID：200903060445160600

発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
郭 準 燮

郭 準 燮 について

, 
趙 濟 煕

趙 濟 煕 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308044
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096113
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】 発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 光透過性の基板51と、基板51の上面に積層され光を放出する活性層57を備える半導体物質層53、54と、基板51の背面に相異なる厚さ分布に形成された蛍光層59と、を含む発光ダイオード。これにより、蛍光層の厚さを調節して発光層から生成される光及びこの光が変化して生成される相異なる波長帯域の光の出射比率を調節して均一なプロファイルのホワイト光を発生できる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
光透過性の基板と、 前記基板の上面に積層され、光を放出する活性層を備える半導体物質層と、 前記基板の背面に相異なる厚さ分布に形成された蛍光層と、を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (8件)：
H01L33/00 ,  C09K11/56 ,  C09K11/64 ,  C09K11/72 ,  C09K11/78 ,  C09K11/79 ,  C09K11/80 ,  C09K11/84
FI (9件)：
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C ,  C09K11/56 ,  C09K11/64 ,  C09K11/72 ,  C09K11/78 ,  C09K11/79 ,  C09K11/80 ,  C09K11/84
Fターム (30件)：
4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA17 ,  4H001XA20 ,  4H001XA21 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA49 ,  4H001XA57 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA71 ,  4H001XA83 ,  4H001YA29 ,  4H001YA58 ,  5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA12 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第5813753号公報
  • ヨーロッパ特許第0855751A2号公報
審査官引用 (10件)
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