特許
J-GLOBAL ID:200903028493381803

発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 敬一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-332882
公開番号(公開出願番号):特開2002-141559
出願日: 2000年10月31日
公開日(公表日): 2002年05月17日
要約:
【要約】【課題】 蛍光体を有する半導体発光装置を製造する際に、ボンディングワイヤ又は半導体チップを損傷しない。【解決手段】 電極(1a, 1b)が形成された上面を有する発光ダイオードチップ(1)と、透明な接着剤(3)により半導体発光チップ(1)の底面に固着された蛍光体チップ(2)とを発光半導体チップ組立体に設ける。蛍光体チップ(2)を使用するので、ボンディングワイヤ又は半導体チップを損傷せずに、半導体発光装置を製造することができる。発光ダイオードチップ(1)は、窒化ガリウム系化合物半導体より成る発光波長ピーク約430nm〜約480nmの青色光を発生する発光層を備えている。蛍光体チップ(2)は、一般式:(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12:Cez,Prw、但し、0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5により表される蛍光体を含むため、赤色系発光となる波長成分の新たな発光ピーク及び十分な輝度が得られ、演色性が向上する。
請求項(抜粋):
電極が形成された上面を有する発光半導体チップと、透明な接着剤により前記半導体発光チップの底面に固着された蛍光体チップとを備え、前記発光半導体チップは、窒化ガリウム系化合物半導体より成る発光波長ピーク約430nm〜約480nmの青色光を発生する発光層を備え、前記蛍光体チップは、一般式:(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12:Cez,Prw、但し0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5により表される成る蛍光体を含むことを特徴とする発光半導体チップ組立体。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 23/48
FI (2件):
H01L 33/00 N ,  H01L 23/48 Y
Fターム (5件):
5F041CA40 ,  5F041DA18 ,  5F041DA42 ,  5F041DA74 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (8件)
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