特許
J-GLOBAL ID：200903060446468551
ヘテロ接合半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055494
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 InP基板上に形成されたヘテロ接合部を有するHEMTにおいて、InGaAsチャネル層とともにヘテロ接合部を形成する電子供給層のAl組成を、二次元電子濃度の低下を招くことなく低減する。【解決手段】 半絶縁性InP基板上7に形成されたヘテロ接合部を有するHEMTにおいて、該ヘテロ接合部を構成する、アンドープInGaAsからなるチャネル層9aと、該チャネル層のヘテロ接合界面部に電子の蓄積層が形成されるよう該チャネル層9aに電子を供給する、InAlPからなる電子供給層11と、該電子供給層11とゲート電極14との間に設けられ、ゲート電極14との間でショットキー接合を形成するアンドープInAlAsからなるショットキーコンタクト層12とを備えた。
請求項（抜粋）：
半絶縁性InP基板上に形成されたヘテロ接合部を有するヘテロ接合半導体デバイスであって、該ヘテロ接合部を構成する、アンドープInGaAsからなるチャネル層と、該チャネル層のヘテロ接合界面部に電子の蓄積層が形成されるよう該チャネル層に電子を供給する、n型InAlPからなる電子供給層とを備えたヘテロ接合半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
