特許
J-GLOBAL ID：200903060456061689
歪みゲージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中林 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270402
公開番号（公開出願番号）：特開平7-120208
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 抵抗温度係数をゼロに近付けることによって、測定精度を高める。【構成】 ダイアフラム1の上面に絶縁膜2を成膜するとともに、絶縁膜2の上面にゲージ膜3を成膜し、その上に電極膜4を成膜する一方、ゲージ膜3の上面に電極膜4が覆われるようにレジストを塗布し、レジストを所定のパターンに形成した上でエッチングにより所定のゲージパターンを形成し、レジストを除去することで所望のパターンの歪みゲージ6を形成する。このように形成した歪みゲージ6をゲージ膜3の素材の結晶化開始温度付近で熱処理を行ことにより、ゲージ膜3の抵抗温度係数をほぼゼロに近付けることができる。
請求項（抜粋）：
ゲージ膜(3)をアモルファスで構成した歪みゲージにおいて、前記ゲージ膜(3)を結晶化開始温度付近で熱処理したことを特徴とする歪みゲージ。
IPC (4件)：
G01B 7/16
, G01L 1/20
, H01L 21/306
, H01L 29/84
G01B 7/18 G
, H01L 21/306 F
