特許

J-GLOBAL ID：200903060472771572

単結晶引上装置

発明者： 若林 大介
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361376
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165790
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】【課題】 単結晶引上装置において、半導体単結晶の高い冷却効果を有すると共に直径計測も可能にすること。【解決手段】 半導体融液Lを保持するルツボ14と、該ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶Cを引き上げる引上機構20と、該引上機構で引き上げられる半導体単結晶の周囲に同心に配された冷却筒22と、前記ルツボ及び前記冷却筒を収納する気密容器11とを備えた単結晶引上装置であって、前記気密容器には、外部から前記半導体融液と前記半導体単結晶との境界領域を観察可能な窓部11aが形成され、前記冷却筒の下端部には、前記窓部と前記境界領域とを結ぶ直線上に切り欠き部22aが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体融液を保持するルツボと、該ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる引上機構と、該引上機構で引き上げられる半導体単結晶の周囲に同心に配された冷却筒と、前記ルツボ及び前記冷却筒を収納する気密容器とを備えた単結晶引上装置であって、前記気密容器には、外部から前記半導体融液と前記半導体単結晶との境界領域を観察可能な窓部が形成され、前記冷却筒の下端部には、前記窓部と前記境界領域とを結ぶ直線上に切り欠き部が形成されていることを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/26

FI (3件)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/26

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG20 ,  4G077EH04 ,  4G077HA12 ,  4G077PF04 ,  4G077PF09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-097480
  
• 特開平2-097480
  
• 単結晶引上げ装置用水冷筒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-124807   出願人：住友シチックス株式会社
• 高温粉体用弁
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288538   出願人：三菱重工業株式会社