膜状複合構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337476
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163468
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】ナノレベルでの半導体素子の微細化やメゾスコピック素子等の新たな機能素子を実現する上で、均一な電子状態を有する界面を作製すると共に、ナノレベルの領域でショットキー電流、さらにはショットキー障壁高さの異なる界面を共存させた膜状複合構造体が求められている。【解決手段】半導体層1上には厚さ20nm以下の金属層2が形成されている。金属層2は、半導体層1と直接接している第1の領域Aと、半導体層1との間に絶縁体、金属層2とは異なる金属または半導体層1とは異なる半導体からなり、かつ厚さ10nm以下の中間層3が介在され、第1の領域Aとはショットキー電流、さらにはショットキー障壁高さが異なる第2の領域Bとを有している。これら各領域A、Bはいずれもナノレベルの大きさを有し、かつ各領域内における各界面はそれぞれ実質的に均一なポテンシャル障壁を有している。

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層上に形成された厚さ20nm以下の金属層とを具備し、前記金属層は、前記半導体層と直接接している第1の領域と、前記半導体層との間に絶縁体、前記金属層とは異なる金属または前記半導体層とは異なる半導体からなり、かつ厚さ10nm以下の中間層が介在され、前記第1の領域とはショットキー電流が異なる第2の領域とを有していることを特徴とする膜状複合構造体。

IPC (5件)：

H01L 29/66 , H01L 29/06 , H01L 29/872 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/66 , H01L 29/06 , H01L 29/48 F , H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149014 出願人：日本電信電話株式会社
化合物半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-345722 出願人：住友金属工業株式会社
III -V族化合物半導体エピタキシャル層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-114319 出願人：古河電気工業株式会社

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