特許

J-GLOBAL ID：200903060491719328

3族窒化物半導体発光素子

発明者： 小池 正好 ,  浅見 慎也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209181
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036421
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】3族窒化物化合物半導体を用いた紫外線発光素子の発光効率の向上【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2、順に、膜厚約5.0μm、濃度 5×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約0.5 μm、濃度 5×1017/cm3のシリコンドープのGaN から成るn層4、膜厚約0.5 μmのIn0.07Ga0.93N から成る発光層5、膜厚約0.5 μm、ホール濃度5 ×1017/cm3、濃度 5×1020/cm3にマグネシウムがドープされたAl0.08Ga0.92N から成るp層61、膜厚約1 μm、ホール濃度 7×1018/cm3、マグネシウム濃度 5×1021/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層62が形成されている。そして、コンタクト層62と高キャリア濃度n+ 層3とに接合するNiから成る電極7、電極8が形成されている。

請求項（抜粋）：

p伝導型のp層とn伝導型のn層とで発光層を挟んだ構造の3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層をAlx1GaY1In1-X1-Y1N 半導体で、正孔の拡散長よりも厚く構成し、前記n層を、前記発光層と格子定数が略等しくなるドナー不純物が添加されたAlx2GaY2In1-X2-Y2N 半導体で構成し、前記p層を、前記発光層に注入された電子を閉じ込めるのに十分なだけ、前記発光層よりも禁制帯幅が大きいアクセプタ不純物が添加されたAlx3GaY3In1-X3-Y3N 半導体で構成したことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190069   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
• 特開昭59-228776